BSS123LT1G - N-kanal MOSFET, 100V, 170mA, SMD

Ürün Açıklaması:

BSS123LT1G, yüksek performanslı bir N-kanal MOSFET'tir. Düşük iletim direnci ve hızlı anahtarlama özellikleri ile çeşitli güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Kompakt yüzey montaj (SMD) tipi paketi ile elektronik devrelerde yerden tasarruf sağlar ve güvenilir performans sunar.

Ürün Özellikleri:

• N-kanal MOSFET
• Düşük iletim direnci
• Hızlı anahtarlama yeteneği
• Yüzey montaj (SMD) tipi
• Kompakt ve dayanıklı tasarım
• Yüksek akım ve voltaj kapasitesi

Teknik Özellikler:

• Tip: N-kanal MOSFET
• Maksimum Drenaj-Source Voltajı (Vds): 100V
• Maksimum Drenaj Akımı (Id): 170mA
• İletim Direnci (Rds(on)): 6Ω @ Vgs = 10V
• Gate Threshold Voltajı (Vgs(th)): 1V - 3V
• Paket: SOT-23
• Çalışma Sıcaklığı: -55°C ila +150°C
• Güç Tüketimi: 225mW

Kullanım Alanları:

• Güç yönetimi sistemleri
• Anahtarlama uygulamaları
• Motor sürücü devreleri
• Endüstriyel otomasyon
• Tüketici elektroniği
• Güç kaynakları ve regülatörler

Avantajları:

• Düşük iletim direnci ile yüksek verimlilik
• Hızlı anahtarlama yeteneği ile hızlı yanıt süreleri
• Kompakt tasarımı ile devre kartında yerden tasarruf
• Yüksek sıcaklık dayanımı ile geniş çalışma aralığı
• Güvenilir ve uzun ömürlü performans

Paket İçeriği:

• 1 x BSS123LT1G N-kanal MOSFET

Bu Ürün ile Birlikte Kullanılabilecek Diğer Ürünler:

• Motor sürücü devreleri
• Güç kaynakları
• Mikrodenetleyiciler (Arduino, STM32)
• Bağlantı kabloları
• Geliştirme kartları

Anahtar Kelimeler:

BSS123LT1G, N-kanal MOSFET, 100V MOSFET, 170mA MOSFET, düşük iletim direnci, hızlı anahtarlama, SMD MOSFET, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları, endüstriyel otomasyon.