SI2319CDS-T1-GE3 - N-kanal MOSFET, 30V, 3.2A, SOT-23

Ürün Açıklaması:

SI2319CDS-T1-GE3 N-kanal MOSFET, yüksek performans ve güvenilirlik sunan bir bileşendir. 30V çalışma voltajı ve 3.2A akım kapasitesi ile çeşitli elektronik devrelerde stabil ve güvenilir performans sağlar.

Ürün Özellikleri:

• 30V çalışma voltajı
• 3.2A akım kapasitesi
• Düşük Rds(on) değeri
• Yüksek hızlı anahtarlama
• Yüzey montaj teknolojisi (SOT-23)
• Yüksek güvenilirlik

Teknik Özellikler:

• Çalışma Voltajı: 30V
• Maksimum Akım: 3.2A
• Rds(on): 0.045 ohm @ 10V
• Geçiş Frekansı: 20ns
• Çalışma Sıcaklığı Aralığı: -55°C to +150°C
• Montaj Türü: SOT-23 (Yüzey Montaj Teknolojisi)

Kullanım Alanları:

• Güç yönetimi sistemleri
• Endüstriyel otomasyon
• Tüketici elektroniği
• Motor kontrol devreleri
• Telekomünikasyon ekipmanları

Avantajları:

• Yüksek akım kapasitesi ile etkin performans
• Düşük Rds(on) değeri ile enerji verimliliği
• Yüzey montaj teknolojisi ile kolay montaj
• Hızlı anahtarlama süreleri ile etkin performans
• Yüksek güvenilirlik ile uzun ömür

Paket İçeriği:

• 1 adet SI2319CDS-T1-GE3 N-kanal MOSFET

Bu Ürün ile Birlikte Kullanılabilecek Diğer Ürünler:

• Mikrodenetleyici modülleri
• Güç yönetim IC'leri
• Diğer MOSFET bileşenleri
• Elektronik devre kartları ve PCB'ler

Anahtar Kelimeler: N-kanal MOSFET, SI2319CDS-T1-GE3, 30V MOSFET, 3.2A MOSFET, SOT-23 MOSFET, elektronik devre MOSFET, yüksek hızlı anahtarlama MOSFET, düşük Rds(on) MOSFET, güç yönetim MOSFET.